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半导体读写存储器简称RWM，习惯上也称为RAM。半导体RAM具有体积小、存取速度快等优点，因而适合作为内存储器使用。按工艺不同可将半导体RAM分为双极型RAM和MOS型RAM两大类，这里以静态MOS存储器芯片为例介绍其组成。
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静态MOS存储器芯片由存储体、读写电路、地址译码和控制电路等部分组成。
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存储体是存储单元的集合。在容量较大的存储器中往往把各个字的同一位组织在一个集成片中。
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地址译码器把用二进制表示的地址转换为译码输入线上的高电位，以便驱动相应的读写电路。地址译码有两种方式：一种是单译码方式，适用于小容量存储器；另一种是双译码方式，适用于容量较大的存储器。
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在双译码结构中，一条X方向的选择线要控制在其上的各个存储单元的字选线，所以负载较大，需要在译码器输出后加驱动器。
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它处于数据总线和被选用的单元之间，用以控制被选中单元的读出或写入，并具有放大信息的作用。
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一个存储芯片的容量往往满足不了计算机对存储器容量的要求，所以需将一定数量的芯片按一定方式连接成一个完整的存储器。在访问某个字时，必须“选中”该字所在的芯片，而其他芯片不被“选中”。因而每个芯片上除了地址线和数据线外，还有片选控制信号。在地址选择时，由芯片外的地址译码器的输入信号以及它的一些控制信号，如“访存控制”来产生片选控制信号，选中要访问的存储字所在的芯片。
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根据CPU给出的信号是读命令还是写命令，控制被选中存储单元的读写。
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