| 随机访问存储器（RAM）分为静态RAM和动态RAM两类。静态RAM（SRAM）比动态RAM（DRAM）更快，也更贵。SRAM常用来做高速缓存存储器，DRAM用来作为主存及图形系统的帧缓冲存储区。
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| （1）SRAM。在SRAM中，将每个位存储在一个双稳态存储器单元中，每个单元是用一个六晶体管电路来实现的。只要供电，SRAM存储单元的内容就保持不变。
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| （2）DRAM。在DRAM中，每个位由一个电容和一个晶体管组成，电容量很小（容量越小速度越快）。与SRAM不同，DRAM存储器单元对干扰很敏感，电容的电压被扰乱之后也不能再自行恢复，也有其他原因会导致漏电，因此，必须在电容中的电荷漏掉之前进行补充，以保证信息不会丢失，这称为刷新。DRAM必须周期性地进行刷新操作。
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| 由于集成度高、价格低，DRAM常用来构成主存储器，主要采用SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory），发展出了SDR SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM等。
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| 由DRAM芯片可组成所需容量要求的内存模块。例如，由4个8M×8位的DRAM芯片（DRAM 0、DRAM 1、DRAM 2、DRAM 3）构成8M×32位的内存区域，32位字的4个字节分别由4个DRAM芯片的同一地址单元提供，DRAM 0提供第1字节（最低字节），DRAM 1提供第2字节，DRAM 2提供第3字节，DRAM 3提供第4字节（最高字节），如下图所示。
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| 由4个8M×8位的DRAM芯片组成8M×32位的内存模块
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