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| 半导体读写存储器简称RWM，习惯上也称为RAM。半导体RAM具有体积小、存取速度快等优点，因而适合作为内存储器使用。按工艺不同可将半导体RAM分为双极型RAM和MOS型RAM两大类，这里以静态MOS存储器芯片为例介绍其组成。
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| 静态MOS存储器芯片由存储体、读写电路、地址译码和控制电路等部分组成。
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| 存储体是存储单元的集合。在容量较大的存储器中往往把各个字的同一位组织在一个集成片中。
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| 地址译码器把用二进制表示的地址转换为译码输入线上的高电位，以便驱动相应的读写电路。地址译码有两种方式：一种是单译码方式，适用于小容量存储器；另一种是双译码方式，适用于容量较大的存储器。
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| 在双译码结构中，一条X方向的选择线要控制在其上的各个存储单元的字选线，所以负载较大，需要在译码器输出后加驱动器。
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| 它处于数据总线和被选用的单元之间，用以控制被选中单元的读出或写入，并具有放大信息的作用。
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| 一个存储芯片的容量往往满足不了计算机对存储器容量的要求，所以需将一定数量的芯片按一定方式连接成一个完整的存储器。在访问某个字时，必须“选中”该字所在的芯片，而其他芯片不被“选中”。因而每个芯片上除了地址线和数据线外，还有片选控制信号。在地址选择时，由芯片外的地址译码器的输入信号以及它的一些控制信号，如“访存控制”来产生片选控制信号，选中要访问的存储字所在的芯片。
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| 根据CPU给出的信号是读命令还是写命令，控制被选中存储单元的读写。
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| 存储容量是指每个存储芯片所能存储的二位制位数。主存储存储器按8位二进制位或其倍数划分存储单元，故存储容量通常以字节（8位）为单位。主存容量大则可以运行比较复杂的程序，并可存入大量信息，可利用更完善的软件支撑环境。所以，计算机处理能力的大小在很大程度上取决于主存容量的大小。
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| 访问时间一般用读出时间TA及写入时间Tw来描述。TA是从存储器接到读命令以后至信息被送到数据总线上所需的时间。Tw是将一个字写入存储器所需的时间。
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| 存取周期是存储器进行一次完整的读写操作所需要的全部时间，也就是存储器进行连续读写操作所允许的最短间隔时间。一般用TM表示，它直接关系到计算机的运算速度。一般有TM>TA，TM>TW，TM的单位常采用微秒或毫微秒。
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| 存储器的频宽B表示存储器被连续访问时，可以提供的数据传送速率，通常用每秒钟传送信息的位数（或字节数）来衡量。
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| 存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF来描述，它可理解为两次故障之间的平均时间间隔。显然。MTBF越长，表示可靠性越高。
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