免费智能真题库 > 历年试卷 > 数据库系统工程师 > 2019年上半年 数据库系统工程师 上午试卷 综合知识
  第39题      
  知识点:   广义笛卡儿积(Extended Cartesian Product)   自然连接(Natural join)   ROM
  关键词:   SQL语句   表达式        章/节:   关系数据库       

 
给定关系R(A,B,C,D)与S(C,D, E,F),则RxS与RS操作结果的属性个数分别为(39);与表达式π2,3,4(δ2<5(RS))等价的SQL语句如下:
SELECT R. B, R. C, R. D FROM R, S WHERE (40)。
 
 
  A.  8, 6
 
  B.  6, 6
 
  C.  8, 8
 
  D.  7, 6
 
 
 

 
  第36题    2016年上半年  
   67%
给定关系R(A,B,C,D)和关系S(C,D,E),对其进行自然连接运算R⋈S后的属性为(35)个:σR.B>S.E(R&#..
  第32题    2017年上半年  
   70%
在关系R(A1,A2 ,A3) 和S(A2 ,A3 ,A4) 上进行
  第43题    2012年上半年  
   64%
假设关系Rl、R2和R3如下所示:
R2运算,则结果集分别为(41)元关系,共有(42)个元组;若进行R2xσF<4(R..
 
  第41题    2012年上半年  
   36%
假设关系Rl、R2和R3如下所示:
R2运算,则结果集分别为(41)元关系,共有(42)个元组;若进行R2xσF<4(R..
  第32题    2017年上半年  
   70%
在关系R(A1,A2 ,A3) 和S(A2 ,A3 ,A4) 上进行
  第32题    2011年上半年  
   69%

若集合D1={0,1,2},集合D2={a,b,c},集合D3={a,c},则D1×D2&t..

   知识点讲解    
   · 广义笛卡儿积(Extended Cartesian Product)    · 自然连接(Natural join)    · ROM
 
       广义笛卡儿积(Extended Cartesian Product)
        两个元数分别为n目和m目的关系RS的广义笛卡儿积是一个(n+m)列的元组的集合。元组的前n列是关系R的一个元组,后m列是关系S的一个元组,记作R×S,其形式定义如下:
        R×S={tt=<tntm>∧tnRtmS
        如果RS中有相同的属性名,可在属性名前加关系名作为限定,以示区别。若RK1个元组,SK2个元组,则RS的广义笛卡儿积有K1×K2个元组。
        注意:本教材中的<tntm>意为元组tntm拼接成的一个元组。
 
       自然连接(Natural join)
        自然连接是一种特殊的等值连接,它要求两个关系中进行比较的分量必须是相同的属性组,并且在结果集中将重复属性列去掉。
        若tn表示R关系的元组变量,tm表示S关系的元组变量;RS具有相同的属性组B,且B=(B1B2,…,BK);并假定R关系的属性为A1A2,…,An-kB1B2,…,Bk,S关系的属性为B1B2,…,BKBK+1BK+2,…,Bm;为S的元组变量tm去掉重复属性B所组成的新的元组变量为。自然连接可以记为,其形式定义如下:
        
        自然连接可以由基本的关系运算笛卡儿积和选取运算导出,因此自然连接可表示为:
        
        特别需要说明的是:一般连接是从关系的水平方向运算,而自然连接不仅要从关系的水平方向,而且要从关系的垂直方向运算。因为自然连接要去掉重复属性,如果没有重复属性,那么自然连接就转化为笛卡儿积。
 
       ROM
        只读存储器(Read-Only Memory,ROM)。ROM的重要特性是其存储信息的非易失性,存放在ROM中的信息不会因去掉供电电源而丢失,再次上电时,存储信息依然存在。其结构较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。
               PROM
               可编程只读存储器(Programmable ROM,PROM)的内部有行列式的熔丝,是需要利用电流将其烧断,写入所需的资料,但仅能写录一次(又称作OTPROM,One Time Programmable Read Only Memory)。PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用户可以将其中的部分单元写入1),以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原先的熔丝即可熔断,这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”上,造成其永久性击穿即可。
               EPROM
               可抹除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM)是目前使用最广泛的ROM。其利用高电压电流将资料编程写入,抹除时将线路曝光于紫外线下,则资料可被清空。之后又可以用电的方法对其重新编程,重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
               利用物理方法(紫外线)可擦除的RROM通常称为EPROM;用电的方法可擦除的PROM称为EEPROM(E2PROM)。
               EEPROM
               电子式可抹除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM)之运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成。
               EPROM需用紫外光擦除,使用不方便也不稳定。20世纪80年代制出的EEPROM,克服了EPROM的不足,但集成度不高,价格较贵。
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